Алферов, Жорес

Депутат Госдумы РФ, вице-президент РАН, лауреат Нобелевской премии

Действительный член Российской академии наук, вице-президент РАН, ректор Санкт-Петербургского Академического университета РАН. Специалист в области физики полупроводников, полупроводниковой и квантовой электроники, лауреат Нобелевской премии по физике за 2000 год. Депутат Государственной думы РФ пяти созывов: в 1995 году был избран от движения "Наш дом - Россия", а в 1999, 2003, 2007 и 2011 годах - от КПРФ.

Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 года в городе Витебске Белорусской ССР , . Его родители, Иван Карпович и Анна Владимировна - белорус и еврейка, сами происходили из местечка Чашники Витебской области. В 1912 году восемнадцатилетний Иван Карпович, отец Алферова, приехал в Санкт-Петербург и два года работал грузчиком в порту, разнорабочим на конвертной фабрике и рабочим на заводе "Старый Лесснер" (впоследствии - завод имени Карла Маркса). В годы Первой мировой войны отец Алферова был гусаром, унтер-офицером лейб-гвардии, дважды был награжден Георгиевским крестом. В сентябре 1917 года он вступил в РСДРП(б) и во время Гражданской войны командовал кавалерийским полком в Красной Армии, а после ее окончания перешел на хозяйственную работу. Именно Иван Алферов дал своим сыновьям "коммунистические имена", назвав старшего Марксом в честь Карла Маркса, а младшего - Жоресом в честь Жана Жореса, основателя газеты L"Humanite и лидера французской социалистической партии , , , .

Довоенные детские годы Алферова прошли в Сталинграде, Новосибирске, Барнауле и Сясьстрое (городе под Ленинградом), где работал его отец после того, как в 1935 году закончил Промакадемию. Начало Великой Отечественной войны совпало с назначением отца Алферова директором завода по производству пороховой целлюлозы, расположенного на Урале - в городе Туринске Свердловской области. Там в годы войны Алферов учился в местной школе, а летом работал на заводе. Старший брат Алферова сначала поступил на энергетический факультет Уральского индустриального института, но уже через несколько недель ушел на фронт. В 1944 году 20-летний гвардии младший лейтенант Маркс Алферов погиб в ходе Корсунь-Шевченковской операции , .

В 1950 году третьекурсник Алферов, специализировавшийся на электровакуумной технике, стал работать в вакуумной лаборатории профессора Б.П. Козырева. Его научным руководителем стала Наталия Николаевна Созина - специалист по полупроводниковым фотоприемникам в инфракрасной области спектра, благодаря которой он занялся экспериментальным исследованием полупроводников. Под руководством Созиной Алферов выполнил дипломную работу, посвященную получению пленок и исследованию фотопроводимости теллурида висмута (BiTe), но в декабре 1952 года во время распределения студентов своей кафедре в ЛЭТИ он предпочел Ленинградский физико-технический институт (ЛФТИ). Физтехом более тридцати лет руководил его основатель Абрам Федорович Иоффе, чья монография "Основные представления современной физики" была настольной книгой для Алферова , , , . Позже Алферов узнал, что за два месяца до его распределения Иоффе ушел из Физтеха и возглавил самостоятельную лабораторию физико-математических наук АН СССР, которая в 1954 году была преобразована в Институт полупроводников АН СССР (ИПАН), куда вместе с ним ушла почти вся "полупроводниковая" элита советских ученых .

В ЛФТИ Алферов стал младшим научным сотрудником в лаборатории В.М. Тучкевича и принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов. В конце 1940-х годов американские ученые создали первый точечный транзистор и транзистор с p-n-переходами, фактически лишь продемонстрировав возможность использования транзисторного эффекта. В ноябре 1952 года американцы опубликовали сообщение о способе, который годился для промышленного производства транзисторов, а уже 5 марта 1953 года Алферов сделал первый надежно работающий транзистор. В 1959 году за работы по заказам ВМФ СССР он получил свою первую правительственную награду - "Знак почета". В 1961 году Алферов защитил диссертацию, посвященную разработке и исследованию мощных германиевых и кремниевых выпрямителей, и получил ученую степень кандидата технических наук. При этом поданная заявка на авторское свидетельство была засекречена. Гриф секретности был снят лишь после публикации аналогичного предложения Герберта Кремера в США, а заявка Алферова была допущена к публикации еще позже , , , .

В 1963 году Алферов начал изучение полупроводниковых гетеропереходов. Гетеропереходом называется соединение двух различных по химическому составу полупроводников, полупроводниковая структура с несколькими гетеропереходами именуется гетероструктурой, а гетеропара - это соединения, на основе которых создается гетероструктура. Таким образом, гетероструктура представляет собой кристалл, в котором меняется химический состав и, соответственно, физические свойства. В природе гетероструктур не существует, поэтому их иногда называют кристаллами, сделанными человеком (man-made crystals), противопоставляя гомоструктурам - кристаллам, "созданным Богом" (God-made crystals) . В 1964 году Алферов стал старшим научным сотрудником Физтеха , .

В 1966 году Алферов сформулировал новые общие принципы управления электронными и световыми потоками в гетероструктураx (электронное и оптическое ограничения и особенности инжекции). При этом для того, чтобы работа не была засекречена, в названии статьи он упомянул лишь выпрямители, но не лазеры. В 1967 году, когда ученый совет ЛФТИ избрал Алферова заведующим сектором, ему приходилось убеждать своих коллег, что в будущем полупроводниковые физика и электроника будут развиваться именно на основе гетероструктур. И уже начиная с 1968 года сотрудники Физтеха стали успешно конкурировать со своими зарубежными коллегами, прежде всего учеными из трех лабораторий крупнейших американских фирм - Bell Telephone, IBM и RCA. В 1968-1969 годах были практически реализованы все основные идеи управления электронными и световыми потоками в классических гетероструктурах на основе системы арсенид галлия - арсенид алюминия (GaAs-AlAs): односторонняя эффективная инжекция, эффект "сверхинжекции", диагональное туннелирование, электронное и оптическое ограничения в двойной гетероструктуре. Кроме того, советским физикам удалось практически реализовать основные преимущества использования гетероструктур в полупроводниковых приборах - лазерах, светодиодах, солнечных батареях, динисторах и транзисторах .

В 1970 году Алферов защитил диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках, и получил степень доктора физико-математических наук , . По мнению экспертов, благодаря Алферову фактически был создано новое направление - физика гетероструктур, электроника и оптоэлектроника на их основе . Появлением лазерной "иголки" в проигрывателях компакт-дисков мы обязаны первому полупроводниковому лазеру, работавшему при комнатной температуре, который создали в Физтехе в том же 1970 году. Впоследствии компоненты, основанные на гетероструктурах, стали использоваться во многих современных устройствах: светодиодах и волоконно-оптических линиях связи, мобильных телефонах и солнечных батареях , , .

В 1971 году Алферов был удостоен своей первой международной награды - медали Баллантайна, учрежденной Франклиновским институтом в Филадельфии для награждения за лучшие работы в области физики и получившей название "малой Нобелевской премии". До него из советских ученых эту награду получил лишь академик Петр Капица (1944), а после - академики Николай Боголюбов (1974) и Андрей Сахаров (1981). В 1972 году Алферов стал лауреатом Ленинской премии , , . В 1979 году он был избран академиком АН СССР . В 1984 году его наградили Государственной премией СССР за разработку "изопериодических гетероструктур на основе четверных твердых растворов полупроводниковых соединений A3B5" , . В 1990 году Алферов стал вице-президентом АН СССР и председателем президиума Ленинградского научного центра (позже - вице-президентом РАН и председателем президиума Санкт-Петербургского научного центра) .

В 1972 году Алферов стал профессором, а через год - заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ, открытой на факультете электронной техники Физтеха. В целом он старался возродить идею синтеза науки и образования, в частности - "союз физмеха и физтеха". Еще в 1919 году в Политехническом институте Иоффе организовал физико-механический факультет, где преподавали главным образом ведущие сотрудники Физтеха. Однако в 1955 году, в ходе очередной реформы Никиты Хрущева, факультет был закрыт. В 1987 году Алферов стал директором Физтеха, а в 1988 году - еще и деканом открытого им физико-технического факультета Ленинградского политехнического института (ЛПИ). В результате возникла мощная научно-образовательная база, в которую вошли кафедра оптоэлектроники ЛЭТИ, физико-технический факультет ЛПИ и физико-технический лицей, открытый Алферовым при Физтехе. Позже они разместились в одном здании Научно-образовательного центра, открытого в Санкт-Петербурге 1 сентября 1999 года , , , , , .

С начала 1990-х годов Алферов занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. В 1993-1994 годах им и его коллегами впервые в мире были созданы гетеролазеры на основе структур с квантовыми точками - "искусственными атомами", а в 1995 году был продемонстрирован инжекционный гетеролазер на квантовых точках, работавший в непрерывном режиме при комнатной температуре. Исследования Алферова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, получившей название "зонная инженерия". Были разработаны технологии нового поколения квантоворазмерных лазеров на короткопериодных сверхрешетках с рекордно низкой величиной пороговой плотности тока; созданы концепции получения полупроводниковых наноструктур с размерным квантованием в двух и трех измерениях; осуществлена демонстрация уникальных физических свойств структур на основе квантовых точек, созданы на их базе инжекционные лазеры. По мнению экспертов, эти исследования, к примеру, приведут к появлению нового поколения техники, которая при своих сверхмалых размерах сможет передавать значительно большой объем информации , .

10 октября 2000 года стало известно, что Алферову будет вручена Нобелевская премия по физике. Саму премию он получил ровно через месяц, разделив ее с двумя другими физиками - Кремером и Джеком Килби. Причем Алферов и Кремер были удостоены Нобелевской премии за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники, а Килби - за основополагающий вклад в создание интегральных схем , , .

В 2001 году Алферов стал лауреатом Государственной премии РФ .

В 2001 году Алферов стал учредителем и президентом Фонда поддержки образования и науки (так называемого Алферовского фонда). В 2002 году он стал ректором-организатором Академического физико-технологического университета - первого высшего учебного заведения, входящего в систему РАН. В 2003 году Алферов покинул пост главы Физтеха, оставшись научным руководителем института , , , , . В 2005 году он стал председателем Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН, причем это привело к конфликту между ФТИ и Алферовым, который, по данным "Коммерсанта" был вызван имущественными спорами между научным центром и институтом; сам Алферов факт существования каких-либо разногласий отрицал, однако в 2006 году он был уволен с поста председателя ученого совета ФТИ и вместо этого стал научным руководителем Центра физики наногетероструктур ФТИ, но в этом качестве на сайте института Алферов не упоминался. В 2007 году Алферов возглавил совет по нанотехнологиям, созданного при РАН , , , , , , , .

Долгие годы Алферов был не только академиком, но и парламентарием. В 1989 году он был избран народным депутатом СССР от АН СССР , . В декабре 1995 года Алферов был избран в Государственную Думу второго созыва от движения "Наш дом - Россия" (НДР), в списках которого он занял шестое место. Большую часть времени Алферов был членом фракции НДР, но в апреле 1999 года вошел в депутатскую группу "Народовластие". В 1999 и 2003 годах он переизбирался депутатом Госдумы третьего и четвертого созывов, проходя по партийным спискам КПРФ , в которых занимал десятое и пятое места соответственно , , , , , , . Включение в партсписок Алферова, не являвшегося членом КПРФ, эксперты объясняли, в том числе, попыткой коммунистов привлечь на свою сторону интеллигенцию, не связанную с левым движением . Во всех трех составах Государственной Думы Алферов работал в парламентском комитете по образованию и науке , , . В 2001-2005 годах Алферов возглавлял президентскую комиссию по ввозу отработавшего ядерного топлива (ОЯТ): он выступил сторонником ввоза ОЯТ на территорию России, предложив направить доходы от этого на нужды ученых , .

В начале 2007 года, вопреки первоначальной информации, список КПРФ на предстоявших выборах в Петербургское законодательное собрание возглавил не Алферов, а первый заместитель председателя партии Иван Мельников . Сам ученый произошедшие перемены объяснил своей большой занятостью в связи с реформой РАН и тем, что, будучи беспартийным, не собирается активно заниматься политикой. Некоторые эксперты предположили, что при формировании списка в руководстве КПРФ мог иметь место рецидив "совкового антисемитизма" (мать Алферова - еврейка), но было выдвинуто и более правдоподобное объяснение, согласно которому между ученым и лидером коммунистов Геннадием Зюгановым мог произойти личный конфликт .

В июле 2007 года Алферов стал одним из авторов обращения академиков РАН к президенту России Владимиру Путину . Академики выступили против "все возрастающей клерикализации российского общества": апеллируя к российской конституции, провозгласившей светский характер государства и принцип отделения церкви от системы государственного образования, они выступили против внесения специальности "теология" в перечень научных специальностей Высшей аттестационной комиссии, а также против введения нового обязательного школьного предмета - "Основы православной культуры". Документ, получивший название "обращение Гинзбурга-Алферова" (Виталий Гинзбург - один из авторов обращения, нобелевский лауреат и академик РАН), вызвал большой общественный резонанс. Вскоре с открытым письмом к руководству России в защиту преподавания в школах "Основ православной культуры" выступил Союз православных граждан. Его представители обвинили Гинзбурга в давней и пристрастной борьбе с церковью, Алферова же назвали коммунистом, чье мировоззрение несовместимо с христианским. Продолжением скандала стало обращение православно-патриотического движения "Народный собор" в прокуратуру Москвы с требованием привлечь Гинзбурга к уголовной ответственности за "разжигание межрелигиозной розни" , , .

В августе 2007 года стало известно, что по результатам предварительных голосований, проведенных в региональных отделениях КПРФ, Алферов занял второе место в первой тройке кандидатов в федеральном списке партии для участия в выборах депутатов Государственной Думы пятого созыва. Первое место досталось Зюганову, а третье - летчику-космонавту, герою Советского Союза Светлане Савицкой , . 22 сентября 2007 года съезд КПРФ утвердил окончательные списки кандидатов от партии на выборы в Госдуму. Федеральный список возглавил Зюганов, вторым и третьим в нем значились Алферов и лидер Агропромышленного союза Николай Харитонов , .

На состоявшихся 2 декабря 2007 года выборах КПРФ успешно преодолела избирательный барьер, набрав 11,57 процента голосов российских избирателей. Алферов в очередной раз стал депутатом Государственной Думы РФ , . 24 декабря 2007 года как старейший депутат нижней палаты парламента он открыл первое пленарное заседание Госдумы пятого созыва .

В январе 2008 года Алферов был назначен руководителем секцией нанотехнологий в отделении нанотехнологий и информационных технологий РАН . В 2009 году возглавляемый им Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН получил новое название, став Санкт-Петербургским академическим университетом - научно-образовательным центром нанотехнологий РАН, Алферов стал ректором университета , , .

В начале 2010 года в прессе стали активно обсуждаться планы по строительству в Московской области российского аналога Кремниевой долины - "иннограда " в Сколкове. В апреле того же года газета "Ведомости" сообщила, что российским сопредседателем научно-технического совета, отвечающего за науку в новом иннограде, станет Алферов .

В октябре 2011 года Алферов вновь был включен в общефедеральную часть списка кандидатов от КПРФ на выборах в Государственную Думу шестого созыва . По результатам голосования, состоявшегося в декабре того же года, КПРФ набрала 19,19 процента голосов российских избирателей , Алферов снова получил депутатский мандат и вошел в состав парламентской фракции коммунистов .

В июле 2012 года стало известно, что Алферов по предложению министра образования Дмитрия Ливанова возглавит Общественный совет при Минобрнауки РФ .

Алферов написал более пятисот научных работ, в том числе четыре монографии, и стал главным редактором журнала "Письма в Журнал технической физики". Он является автором более пятидесяти изобретений. Помимо уже упомянутых наград он удостоился Хьюлет-Паккардовской премии Европейского физического общества (1972), ордена Трудового Красного Знамени (1975), ордена Октябрьской Революции (1980), ордена Ленина (1986), награды Симпозиума по GaAs (1987), медали Х. Велькера (1987), премии А.П. Карпинского (ФРГ, 1989) и премии А.Ф. Иоффе (РАН, 1996), общенациональной неправительственной Демидовской премии РФ (1999), медали А.С. Попова (РАН, 1999), премии Ника Холоньяка (США, 2000), премии Киото за передовые достижения в области электроники (2001), премии В.И. Вернадского (Украина, 2001) и международной премии "Глобальная энергия" (2005), учрежденной по его инициативе в 2002 году , , , . В 2002 году Алферов получил белорусский орден Франциска Скорины, а в 2003 году - украинский орден Ярослава Мудрого , . Кроме того, он был награжден многими медалями СССР и РФ . В 1999 году Алферов получил орден "За заслуги перед Отечеством" III степени, в 2000 году - орден "За заслуги перед Отечеством" II степени , , 75-летний юбилей ученого в 2005 году был отмечен орденом "За заслуги перед Отечеством" I степени , а в 2010 году он был удостоен ордена "За заслуги перед Отечеством" IV степени .

Алферов стал почетным доктором многих университетов, а также почетным членом многих российских и иностранных академий , . Он единственный из российских ученых, кто был избран иностранным членом Академии наук США ("за гетероструктуры") и иностранным членом Национальной инженерной академии наук США ("за развитие принципов теории и технологии гетероструктур") . Алферов получил звание заслуженного энергетика РФ (1996). В 2001 году он был удостоен звания почетного гражданина города Санкт-Петербурга, в 2002 году - Минска, а в 2004 году - Сан-Кристобаля (Венесуэла). В 2001 году в честь Алферова была названа малая планета (астероид) .

Алферов женат вторым браком на Тамаре Дарской. От этого брака у Алферова есть сын Иван. Сын Алферова некоторое время занимался прикладной астрономией, а потом занялся бизнесом (по данным на 2000 год - торговлей техникой для лесопромышленных компаний). Также известно, что у Алферова есть дочь от первого брака, с которой он не поддерживает отношений, и приемная дочь Ирина - дочь второй супруги от первого брака , .

Использованные материалы

Жорес Алферов возглавит общественный совет при Минобрнауки. - РИА Новости , 05.07.2012

Госдума 6-го созыва приступила сегодня к работе. - Эхо Москвы , 21.12.2011

ЦИК РФ объявил официальные итоги выборов в Госдуму. - РБК , 09.12.2011

О регистрации федерального списка кандидатов в депутаты Государственной Думы Федерального Собрания Российской Федерации шестого созыва, выдвинутого Политической партией "Коммунистическая партия Российской Федерации". - Центральная избирательная комиссия РФ (www.cikrf.ru) , 14.10.2011. - № 45/374-6

Жорес Иванович Алферов (род. 15 марта 1930 г.) - выдающийся русский ученый-физик, лауреат Нобелевской премии 2000 года.

До этого дня российским ученым принадлежало восемь Нобелевских премий, столько же, например, сколько и датчанам (Николай Семёнов – премия по химии за 1956 г.; Илья Франк, Игорь Тамм, Павел Черенков – премия по физике за 1958 г.; Лев Ландау – 1962 г.; Александр Прохоров, Николай Басов – 1964 г.; Петр Капица – 1978 г.). И вот – успех Алфёрова.

Правда, и тут не обошлось не то чтобы без ложки дегтя, но не без маленькой психологической занозы: приз в 1 млн долларов Жорес Иванович в паре с Хербертом Кроемером разделит пополам с Джеком Килби. По решению Нобелевского комитета Алфёров и Килби удостоены Нобелевской премии (одной на двоих) за «работы по получению полупроводниковых структур, которые могут быть использованы для сверхбыстрых компьютеров». (Любопытно, что так же пришлось поделить Нобелевскую премию по физике за 1958 г. между советскими физиками Павлом Черенковым и Ильей Франком и за 1964 г. – между опять-таки советскими физиками Александром Прохоровым и Николаем Басовым.) Еще один американец, сотрудник корпорации «Техас Инструментс» Джек Килби, удостоен награды за работы в области интегральных схем.

Итак, кто же он, новый российский нобелевский лауреат?

Жорес Иванович Алфёров родился в белорусском городе Витебске. После 1935 года семья переехала на Урал. В г. Туринске А. учился в школе с пятого по восьмой классы. 9 мая 1945 года его отец, Иван Карпович Алфёров, получил назначение в Минск, где А. окончил мужскую среднюю школу №42 с золотой медалью. Он стал студентом факультета электронной техники (ФЭТ) Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) им. В.И. Ульянова по совету школьного учителя физики, Якова Борисовича Мельцерзона.

На третьем курсе А. пошел работать в вакуумную лабораторию профессора Б.П. Козырева. Там он начал экспериментальную работу под руководством Наталии Николаевны Созиной. Со студенческих лет А. привлекал к участию в научных исследованиях других студентов. Так, в 1950 году полупроводники стали главным делом его жизни.

В 1953 году, после окончания ЛЭТИ, А. был принят на работу в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе в лабораторию В.М. Тучкевича. В первой половине 50-х годов перед институтом была поставлена задача создать отечественные полупроводниковые приборы для внедрения в отечественную промышленность. Перед лабораторией стояла задача: получение монокристаллов чистого германия и создание на его основе плоскостных диодов и триодов. При участии А. были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые германиевые приборы За комплекс проведенных работ в 1959 году А. получил первую правительственную награду, им была защищена кандидатская диссертация, подводившая черту под десятилетней работой.

После этого перед Ж.И. Алфёровым встал вопрос о выборе дальнейшего направления исследований. Накопленный опыт позволял ему перейти к разработке собственной темы. В те годы была высказана идея использования в полупроводниковой технике гетеропереходов. Создание совершенных структур на их основе могло привести к качественному скачку в физике и технике.

В то время во многих журнальных публикациях и на различных научных конференциях неоднократно говорилось о бесперспективности проведения работ в этом направлении, т.к. многочисленные попытки реализовать приборы на гетеропереходах не приходили к практическим результатам. Причина неудач крылась в трудности создания близкого к идеальному перехода, выявлении и получении необходимых гетеропар.

Но это не остановило Жореса Ивановича. В основу технологических исследований им были положены эпитаксиальные методы, позволяющие управлять такими фундаментальными параметрами полупроводника, как ширина запрещенной зоны, величина электронного сродства, эффективная масса носителей тока, показатель преломления и т.д. внутри единого монокристалла.

Для идеального гетероперехода подходили GaAs и AlAs, но последний почти мгновенно на воздухе окислялся. Значит, следовало подобрать другого партнера. И он нашелся тут же, в институте, в лаборатории, возглавляемой Н.А. Горюновой. Им оказалось тройное соединение AIGaAs. Так определилась широко известная теперь в мире микроэлектроники гетеропара GaAs/AIGaAs. Ж.И. Алфёров с сотрудниками не только создали в системе AlAs – GaAs гетероструктуры, близкие по своим свойствам к идеальной модели, но и первый в мире полупроводниковый гетеролазер, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре.

Открытие Ж.И. Алфёровым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений – «суперинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах – позволило также кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике. Новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках Жорес Иванович обобщил в докторской диссертации, которую успешно защитил 1970 году.

Работы Ж.И. Алфёрова были по заслугам оценены международной и отечественной наукой. В 1971 году Франклиновский институт (США) присуждает ему престижную медаль Баллантайна, называемую «малой Нобелевской премией» и учрежденную для награждения за лучшие работы в области физики. Затем следует самая высокая награда СССР – Ленинская премия (1972 год).

С использованием разработанной Ж.И. Алфёровым в 70-х годах технологии высокоэффективных, радиационностойких солнечных элементов на основе AIGaAs/GaAs гетероструктур в России (впервые в мире) было организовано крупномасштабное производство гетероструктурных солнечных элементов для космических батарей. Одна из них, установленная в 1986 году на космической станции «Мир», проработала на орбите весь срок эксплуатации без существенного снижения мощности.

На основе предложенных в 1970 году Ж.И. Алфёровым и его сотрудниками идеальных переходов в многокомпонентных соединениях InGaAsP созданы полупроводниковые лазеры, работающие в существенно более широкой спектральной области, чем лазеры в системе AIGaAs. Они нашли широкое применение в качестве источников излучения в волоконно-оптических линиях связи повышенной дальности.

В начале 90-х годов одним из основных направлений работ, проводимых под руководством Ж.И. Алфёрова, становится получение и исследование свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.

В 1993...1994 годах впервые в мире реализуются гетеролазеры на основе структур с квантовыми точками – «искусственными атомами». В 1995 году Ж.И. Алфёров со своими сотрудниками впервые демонстрирует инжекционный гетеролазер на квантовых точках, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Принципиально важным стало расширение спектрального диапазона лазеров с использованием квантовых точек на подложках GaAs. Таким образом, исследования Ж.И. Алфёрова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как «зонная инженерия».

Награда нашла героя

В одном из своих многочисленных интервью (1984 год) на вопрос корреспондента: «По слухам, Вы нынче были представлены к Нобелевской премии. Не обидно, что не получили?» Жорес Иванович ответил: «Слышал, что представляли уже не раз. Практика показывает – либо ее дают стразу после открытия (в моем случае это середина 70-х годов), либо уже в глубокой старости. Так было с П.Л. Капицей. Значит, у меня еще все впереди».

Здесь Жорес Иванович ошибся. Как говорится, награда нашла героя раньше наступления глубокой старости. 10 октября 2000 года по всем программам российского телевидения сообщили о присуждении Ж.И. Алфёрову Нобелевской премии по физике за 2000 год.

Современные информационные системы должны отвечать двум простым, но основополагающим требованиям: быть быстрыми, чтобы большой объем информации, можно было передать за короткий промежуток времени, и компактными, чтобы уместиться в офисе, дома, в портфеле или кармане.

Своими открытиями Нобелевские лауреаты по физике за 2000 год создали основу такой современной техники. Жорес И. Алфёров и Герберт Кремер открыли и развили быстрые опто- и микроэлектронные компоненты, которые создаются на базе многослойных полупроводниковых гетероструктур.

Гетеролазеры передают, а гетероприемники принимают информационные потоки по волоконно-оптическим линиям связи. Гетеролазеры можно обнаружить также в проигрывателях CD-дисков, устройствах, декодирующих товарные ярлыки, в лазерных указках и во многих других приборах.

На основе гетероструктур созданы мощные высокоэффективные светоизлучающие диоды, используемые в дисплеях, лампах тормозного освещения в автомобилях и светофорах. В гетероструктурных солнечных батареях, которые широко используются в космической и наземной энергетике, достигнуты рекордные эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую.

Джек Килби награжден за свой вклад в открытие и развитие интегральных микросхем, благодаря чему стала быстро развиваться микроэлектроника, являющаяся – наряду с оптоэлектроникой – основой всей современной техники.

Учитель, воспитай ученика...

В 1973 году А., при поддержке ректора ЛЭТИ А.А. Вавилова, организовал базовую кафедру оптоэлектроники (ЭО) на факультете электронной техники Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе.

В невероятно сжатые сроки Ж.И. Алфёров совестно с Б.П. Захарченей и другими учеными Физтеха разработал учебный план подготовки инженеров по новой кафедре. Он предусматривал обучение студентов первого и второго курсов в стенах ЛЭТИ, поскольку уровень физико-математической подготовки на ФЭТ был высоким и создавал хороший фундамент для изучения специальных дисциплин, которые, начиная с третьего курса, читались учеными Физтеха на его территории. Там же с использованием новейшего технологического и аналитического оборудования выполнялись лабораторные практикумы, а также курсовые и дипломные проекты под руководством преподавателей базовой кафедры.

Прием студентов на первый курс в количестве 25 человек осуществлялся через вступительные экзамены, а комплектование групп второго и третьего курсов для обучения по кафедре ОЭ проходило из студентов, обучавшихся на ФЭТ и на кафедре диэлектриков и полупроводников Электрофизического факультета. Комиссию по отбору студентов возглавлял Жорес Иванович. Из примерно 250 студентов, обучавшихся на каждом курсе, было отобрано по 25 лучших. 15 сентября 1973 года начались занятия студентов вторых и третьих курсов. Для этого был подобран прекрасный профессорско-преподавательский состав.

Ж.И. Алфёров очень большое внимание уделял и уделяет формированию контингента студентов первого курса. По его инициативе в первые годы работы кафедры в период весенних школьных каникул проводились ежегодные школы «Физика и жизнь». Ее слушателями были учащиеся выпускных классов школ Ленинграда. По рекомендации учителей физики и математики наиболее одаренным школьникам вручались приглашения принять участие в работе этой школы. Таким образом набиралась группа в количестве 30...40 человек. Они размещались в институтском пионерском лагере «Звездный». Все расходы, связанны с проживанием, питанием и обслуживанием школьников, наш вуз брал на себя.

На открытие школы приезжали все ее лекторы во главе с Ж.И. Алфёровым. Все проходило и торжественно, и очень по-домашнему. Первую лекцию читал Жорес Иванович. Он так увлекательно говорил о физике, электронике, гетероструктурах, что все его слушали как завороженные. Но и после лекции не прекращалось общение Ж.И. Алфёрова с ребятами. Окруженный ими, он ходил по территории лагеря, играл в снежки, дурачился. Насколько не формально он относился к этому «мероприятию», говорит тот факт, что в эти поездки Жорес Иванович брал свою жену Тамару Георгиевну и сына Ваню...

Результаты работы школы не замедлили сказаться. В 1977 году состоялся первый выпуск инженеров по кафедре ОЭ, количество выпускников, получивших дипломы с отличием, на факультете удвоилось. Одна группа студентов этой кафедры дала столько же «красных» дипломов, сколько остальные семь групп.

В 1988 году Ж.И. Алфёров организовал в Политехническом институте физико-технический факультет.

Следующим логическим шагом стало объединение этих структур под одной крышей. К реализации данной идеи Ж.И. Алфёров приступил еще в начале 90-х годов. При этом он не просто строил здание Научно-образовательного центра, он закладывал фундамент будущего возрождения страны... И вот первого сентября 1999 года здание Научно-образовательного центра (НОЦ) вступило в строй.

На том стоит и стоять будет русская земля...

Алфёров всегда остается самим собой. В общении с министрами и студентами, директорами предприятий и простыми людьми он одинаково ровен. Не подстраивается под первых, не возвышается над вторыми, но всегда с убежденностью отстаивает свою точку зрения.

Ж.И. Алфёров всегда занят. Его рабочий график расписан на месяц вперед, а недельный рабочий цикл таков: утро понедельника – Физтех (он его директор), вторая половина дня – Санкт-Петербургский научный центр (он председатель); вторник, среда и четверг – Москва (он член Государственной думы и вице-президент РАН, к тому же нужно решать многочисленные вопросы в министерствах) или Санкт-Петербург (тоже вопросов выше головы); утро пятницы – Физтех, вторая половина дня – Научно-образовательный центр (директор). Это только крупные штрихи, а между ними – научная работа, руководство кафедрой ОЭ в ЭТУ и физико-техническим факультетом в ТУ, чтение лекций, участие в конференциях. Всего не перечесть!

Наш лауреат прекрасный лектор и рассказчик. Неслучайно все информационные агентства мира отметили именно Алфёровскую Нобелевскую лекцию, которую он прочитал на английском языке без конспекта и с присущим ему блеском.

При вручении Нобелевских премий существует традиция, когда на банкете, который устраивает король Швеции в честь Нобелевских лауреатов (на нем присутствуют свыше тысячи гостей), представляется слово только одному лауреату от каждой «номинации». В 2000 году Нобелевской премии по физике были удостоены три человека: Ж.И. Алфёров, Герберт Кремер и Джек Килби. Так вот двое последних уговорили Жореса Ивановича выступить на этом банкете. И он эту просьбу выполнил блестяще, в своем слове удачно обыграв нашу российскую привычку делать «одно любимое дело» на троих.

В своей книге «Физика и жизнь» Ж.И. Алфёров, в частности, пишет: «Все, что создано человечеством, создано благодаря науке. И если уж суждено нашей стране быть великой державой, то она ею будет не благодаря ядерному оружию или западным инвестициям, не благодаря вере в Бога или Президента, а благодаря труду ее народа, вере в знание, в науку, благодаря сохранению и развитию научного потенциала и образования.

Десятилетним мальчиком я прочитал замечательную книгу Вениамина Каверина «Два капитана». И всю последующую жизнь я следовал принципу ее главного героя Сани Григорьева: «Бороться и искать, найти и не сдаваться». Правда, очень важно при этом понимать, за что ты берешься».

Жорес Алфёров. Фото: РИА Новости / Игорь Самойлов

В понедельник, 14 ноября, в Санкт-Петербурге ректор петербургского Академического университета Жорес Алфёров . Его состояние не вызывает опасений у врачей.

Жорес Алфёров — российский лауреат Нобелевской премии по физике. Премию он получил в 2000 году за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов.

АиФ.ru приводит биографию Жореса Алфёрова.

Досье

В декабре 1952 года окончил Ленинградский государственный электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина).

Годы учебы Ж.И. Алфёрова в ЛЭТИ совпали с началом студенческого строительного движения. В 1949 г. он в составе студенческого отряда участвовал в строительстве Красноборской ГЭС, одной из первых сельских электростанций Ленинградской области.

Ещё в студенческие годы Ж. И. Алфёров начал свой путь в науке. Под руководством доцента кафедры основ электровакуумной техники Наталии Николаевны Созиной он занимался исследованиями полупроводниковых плёночных фотоэлементов. Его доклад на институтской конференции студенческого научного общества (СНО) в 1952 г. был признан лучшим, за него физик получил первую в своей жизни научную премию: поездку на строительство Волго-Донского канала. Несколько лет он являлся председателем СНО факультета электронной техники.

После окончания ЛЭТИ Алфёров был направлен на работу в Ленинградский физико-технический институт, где стал работать в лаборатории В. М. Тучкевича . Здесь при участии Ж. И. Алфёрова были разработаны первые советские транзисторы.

В январе 1953 поступил в ФТИ им. А. Ф. Иоффе, где защитил кандидатскую (1961) и докторскую (1970) диссертации.

В начале 60-х годов Алфёров начал заниматься проблемой гетеропереходов. Открытие им идеальных гетеропереходов и новых физических явлений — «сверхинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах — позволило кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.

Благодаря исследованиям Ж. И. Алфёрова фактически создано новое направление: гетеропереходы в полупроводниках.

Своими открытиями учёный заложил основы современной информационной техники, в основном через разработку быстрых транзисторов и лазеров. Созданные на базе исследований Алфёрова приборы и устройства буквально произвели научную и социальную революцию. Это лазеры, передающие информационные потоки посредством оптоволоконных сетей интернета, это технологии, лежащие в основе мобильных телефонов, устройства, декорирующие товарные ярлыки, запись и воспроизведение информации на CD-дисках и многое другое.

Под научным руководством Алфёрова были выполнены исследования солнечных элементов на основе гетероструктур, что привело к созданию фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения в электрическую энергию, коэффициент полезного действия которых приблизился к теоретическому пределу. Они оказались незаменимыми для энергообеспечения космических станций, а в настоящее время рассматриваются как один из основных альтернативных источников энергии взамен убывающим запасам нефти и газа.

Благодаря фундаментальным работам Алфёрова были созданы светодиоды на гетероструктурах. Светодиоды белого света благодаря своей высокой надёжности и эффективности рассматриваются как источники освещения нового типа и в ближайшем будущем заменят традиционные лампы накаливания, что будет сопровождаться гигантской экономией электроэнергии.

С начала 1990-х годов Алфёров занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.

В 2003 году Алфёров оставил пост руководителя ФТИ им. А. Ф. Иоффе и до 2006 года занимал пост председателя учёного совета института. Однако Алфёров сохранил влияние на ряд научных структур, среди которых: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, НТЦ « Центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур» , научно-образовательный комплекс (НОК) Физико-технического института и физико-технический лицей.

С 1988 г. (с момента основания) — декан физико-технического факультета СПбГПУ.

В 1990-1991 годах — вице-президент АН СССР, председатель Президиума Ленинградского научного центра.

10 октября 2000 года стало известно, что Жорес Алфёров стал лауреатом Нобелевской премии по физике за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники. Саму премию он разделил с двумя другими физиками: Гербертом Крёмером и Джеком Килби .

С 2003 года — председатель Научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН. Академик АН СССР (1979), затем РАН, почётный академик Российской академии образования. Вице-президент РАН, председатель президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН.

Являлся инициатором учреждения в 2002 году премии «Глобальная энергия», до 2006 года возглавлял Международный комитет по её присуждению.

5 апреля 2010 года объявлено о том, что Алфёров назначен научным руководителем инновационного центра в Сколково.

С 2010 года — сопредседатель Консультативного научного Совета Фонда «Сколково».

В 2013 году баллотировался на пост президента РАН. Получив 345 голосов, занял второе место.

Автор более 500 научных работ, в том числе 4 монографий, более 50 изобретений. Среди его учеников более сорока кандидатов и десяти докторов наук. Наиболее известные представители школы: чл.-корреспонденты РАН Д. З. Гарбузов и Н. Н. Леденцов, доктора физ.-мат. наук: В. М. Андреев, В. И. Корольков, С. Г. Конников, С. А. Гуревич, Ю. В. Жиляев, П. С. Копьев и др.

О проблемах современной науки

Обсуждая с корреспондентом газеты «Аргументы и факты» проблемы современной российской науки, заметил: «Отставание в науке — не следствие какой-либо слабости русских учёных или проявления национальной черты, а результат дурацкого реформирования страны».

После начавшейся в 2013 году реформы РАН Алфёров неоднократно высказывал отрицательное отношение к данному законопроекту. В обращении учёного к Президенту РФ говорилось:

«После жесточайших реформ 1990-х годов, многое утратив, РАН тем не менее сохранила свой научный потенциал гораздо лучше, чем отраслевая наука и вузы. Противопоставление академической и вузовской науки совершенно противоестественно и может проводиться только людьми, преследующими свои очень странные политические цели, весьма далёкие от интересов страны. Закон о реорганизации РАН и других государственных академий наук отнюдь не решает задачу повышения эффективности научных исследований».

Политическая и общественная деятельность

1944 — член ВЛКСМ.

1965 — член КПСС.

1989-1992 — народный депутат СССР.

1995-1999 — депутат Государственной Думы Федерального Собрания РФ 2 созыва от движения «Наш дом — Россия» (НДР), председатель подкомитета по науке Комитета по науке и образованию Госдумы, член фракции НДР, с 1998 — член депутатской группы « Народовластие» .

1999-2003 — депутат Государственной Думы Федерального Собрания РФ 3 созыва от КПРФ, член фракции КПРФ, член Комитета по образованию и науке.

2003-2007 — депутат Государственной Думы Федерального Собрания РФ 4 созыва от КПРФ, член фракции КПРФ, член Комитета по образованию и науке.

2007-2011 — депутат Государственной Думы Федерального Собрания РФ 5 созыва от КПРФ, член фракции КПРФ, член Комитета Государственной Думы по науке и наукоёмким технологиям. Старейший депутат Государственной Думы Федерального Собрания РФ 5 созыва.

2012-2016 — депутат Государственной Думы Федерального Собрания РФ 6 созыва от КПРФ, член Комитета Государственной Думы по науке и наукоёмким технологиям.

С 2016 года — депутат Государственной Думы Федерального Собрания РФ 7 созыва от КПРФ. Старейший депутат Государственной Думы Федерального Собрания РФ 7 созыва.

Член редакционного совета радиогазеты «Слово».

Председатель Редакционной коллегии журнала «Нанотехнологии. Экология. Производство».

Учредил Фонд поддержки образования и науки для помощи талантливой учащейся молодёжи, содействия её профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки. Первый вклад в Фонд был сделан Жоресом Алфёровым из средств Нобелевской премии.

В 2016 году подписал письмо с призывом к Greenpeace, Организации Объединённых Наций и правительствам всего мира прекратить борьбу с генетически модифицированными организмами (ГМО).

Награды и звания

Труды Ж. И. Алфёрова отмечены Нобелевской премией, Ленинской и Государственными премиями СССР и России, премией им. А. П. Карпинского (ФРГ), Демидовской премией, премией им. А. Ф. Иоффе и золотой медалью А. С. Попова (РАН), Хьюлетт-Паккардовской премией Европейского физического общества, медалью Стюарта Баллантайна Франклинского института (США), премией Киото (Япония), многими орденами и медалями СССР, России и зарубежных стран.

Жорес Иванович избран пожизненным членом института Б. Франклина и иностранным членом Национальной академии наук и Национальной инженерной академии США, иностранным членом академий наук Беларуси, Украины, Польши, Болгарии и многих других стран. Он является почётным гражданином Санкт-Петербурга, Минска, Витебска и других городов России и зарубежья. Почётным доктором и профессором его избрали учёные советы многих университетов России, Японии, Китая, Швеции, Финляндии, Франции и других стран.

Астероид (№ 3884) Alferov, открытый 13 марта 1977 года Н. С. Черных в Крымской астрофизической обсерватории был назван в честь учёного 22 февраля 1997 года.

15 марта исполняется 80 лет Жоресу Алферову, вице-президенту Российской академии наук, лауреату Нобелевской премии по физике.

Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 г . в Витебске (Белоруссия).

В 1952 г. окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В. И. Ульянова (ЛЭТИ) (в настоящее время - Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ).

С 1953 г. Жорес Алферов работает в Физико-Техническом Институте имени А. Ф. Иоффе, с 1987 г. - в качестве директора.

Принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов.

В 1970 г. Жорес Алферов защитил диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках, и получил степень доктора физико-математических наук. В 1972 г. Алферов стал профессором, а через год - заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ.

С начала 1990-х гг. Алферов занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. С 1987 г. по май 2003 г. - директор СПбГЭТУ, с мая 2003 г. по июль 2006 г. - научный руководитель.

Исследования Жореса Алферова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как «зонная инженерия».

В лаборатории Алферова была разработана промышленная технология создания полупроводников на гетероструктурах. Первый непрерывный лазер на гетеропереходах был создан тоже в России. Эта же лаборатория по праву гордится разработкой и созданием солнечных батарей, успешно примененных в 1986 г. на космической станции "Мир": батареи проработали весь срок эксплуатации до 2001 г. без заметного снижения мощности.

Жорес Алферов многие годы сочетает научные исследования с преподаванием. С 1973 г. он заведует базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ, с 1988 г. - декан физико-технического факультета Санкт-Петербургского государственного технического университета.

Научный авторитет Алферова чрезвычайно высок. В 1972 г. он был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР, в 1979 г. - ее действительным членом, в 1990 г. - вице-президентом Российской академии наук и Президентом Санкт-Петербургского научного центра РАН.

Его работы получили широкую известность и мировое признание, вошли в учебники. Он автор более 500 научных работ, в том числе трех монографий и более 50 изобретений.

С 1989 г. по 1992 г. Жорес Алферов был народным депутатом СССР, с 1995 г. - депутат Государственной Думы второго, третьего, четвертого и пятого созывов (фракция КПРФ).

В 2002 г. Алферов стал инициатором учреждения премии «Глобальная энергия» (учередители ОАО "Газпром", РАО "ЕЭС России", НК "ЮКОС" и ОАО «Сургутнефтегаз»). До 2006 г. возглавлял Международный комитет по присуждению премии «Глобальная энергия».

С 2003 г. Жорес Алферов - председатель Научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН.

Алферов - почетный доктор многих университетов и почетный член многих академий.

Награжден Золотой медалью Баллантайна (1971) Франклиновского института (США), Хьюлет-Паккардовской премией Европейского физического общества (1972), медалью Х.Велькера (1987), премией А.П.Карпинского и премией А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Общенациональной неправительственной Демидовской премией РФ (1999), премией Киото за передовые достижения в области электроники (2001).

В 2000 г. Алферов получил Нобелевскую премию по физике "за достижения в электронике" совместно с американцами Джеком Килби и Гербертом Кремером. Кремер, как и Алферов, получил награду за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов (Алферов и Кремер получили половину денежной премии), а Килби - за разработку идеологии и технологии создания микрочипов (вторую половину).

В 2002 г. за работу "Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе" Жорес Алферов и команда ученых, работающих вместе с ним, были удостоены Государственной премии.

Жорес Алферов награжден орденами Ленина, Октябрьской Революции, Трудового Красного Знамени, Знаком Почета "3a заслуги перед Отечеством" III и II степени, медалями СССР и Российской Федерации.

В феврале 2001 г. Алферов учредил Фонд поддержки образования и науки для поддержки талантливой учащейся молодежи, содействия ее профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки. Первый вклад в Фонд был сделан Жоресом Алферовым из средств Нобелевской премии.

Материал подготовлен на основе информации открытых источников

Родился в Витебске в 1930 г. Имя получил в честь Жана Жореса, основателя газеты L’Humanite и лидера французской социалистической партии.

Окончил с золотой медалью школу и в 1952 году окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института им. В.И. Ульянова (ЛЭТИ).

С 1953 г. работал в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе, принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов. В 1970 г. защитил докторскую диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках. В 1971 г. был удостоен первой международной награды - золотой медали Стюарта Баллантайна Франклиновского института (США), получившей название малой нобелевской премии.

Королевская Академия Наук Швеции присудила Жоресу И. Алферову Нобелевскую премию по физике за 2000 год - за труды, заложившие основы современной информационной техники - за развитие полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов. Развитие волоконно-оптической связи, интернета, солнечной энергетики, мобильной телефонии, светодиодной и лазерной техники в значительной степени основано на исследованиях и открытиях Ж.И Алферова.

Так же выдающийся вклад Ж.И. Алферова отмечен многочисленными международными и отечественными премиями и наградами: Ленинской и Государственной премиями (СССР), золотой медалью Велькера (ФРГ), премией Киото (Япония), премией А.Ф. Иоффе, золотой медалью Попова (РАН), Государственной премией РФ, Демидовской премией, премией «Глобальная энергия» (Россия), премией и золотой медалью К. Бойера (США, 2013 г.) и множеством других.

Ж.И. Алферов избран почетным и иностранным членом более 30 зарубежных академий наук и научных обществ, в том числе национальных академий наук: Италии, Испании, Китая, Кореи и многих других. Единственный из российских ученых, кто одновременно был избран иностранным членом Национальной Академии наук США и Национальной инженерной академии наук США. Более 50 университетов из 20 стран избрали его почетным доктором и профессором.

Ж.И. Алферов - полный кавалер ордена «За заслуги перед Отечеством», отмечен государственными наградами СССР, Украины, Белоруссии, Кубы, Франции, Китая.

С 1990 г. - вице-президент АН СССР, с 1991 г. - вице-президент РАН. Является одним из виднейших организаторов академической науки в России и активным сторонником создания образовательных центров на базе ведущих институтов РАН. В 1973 году при ФТИ им была создана первая базовая кафедра оптоэлектроники в ЛЭТИ. Был директором (1987-2003 г.) и научным руководителем (2003-2006 г.) ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, а с 1988 г. деканом созданного им Физико-технического факультета Ленинградского политехнического института (ЛПИ). В 2002 г. создал Академический физико-технологический университет - первое высшее учебное заведение, входящее в систему РАН. В 2009 г. к университету был присоединён созданный им в 1987 г. на базе ФТИ Лицей «Физико-техническая школа» и Научный центр нанотехнологий и организован Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательным центр нанотехнологий РАН (в 2010 г. получил статус Национального исследовательского университета), в котором стал ректором. Создал собственную научную школу: среди его учеников более 50 кандидатов, десятки докторов наук, 7 членов-корреспондентов РАН. С 2010 г. - сопредседатель вместе с Нобелевским лауреатом Роджером Корнбергом (США) Научно-консультативного совета фонда «Сколково».

В феврале 2001 г. создал Фонд поддержки образования и науки (Алферовский фонд), вложив в него значительную часть своей Нобелевской премии. Первая благотворительная программа фонда - «Установление пожизненной материальной помощи вдовам академиков и членов-корреспондентов РАН, работавших в Санкт-Петербурге». Фонд учредил стипендии учащимся российских школ и лицеев, студентам и аспирантам вузов, премии и гранты молодым ученым. В ряде стран находятся представительства и самостоятельные фонды поддержки образования и науки, учрежденные Ж.И. Алферовым и созданные при его содействии: в Республике Беларусь, в Казахстане, в Италии, на Украине, в Азербайджане.