Жореса Алферова часто называют последним великим советским ученым. В 2000 году он получил Нобелевскую премию по физике за разработки в области полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов. Благодаря Алферову мир получил смартфоны - такими, какими мы их знаем, и интернет, а благодаря гетероструктурам все начали пользоваться CD-дисками.

После развала Советского союза Алферов был одним из немногих российских нобелевских лауреатов, кроме него, премию получали Виталий Гинзбург, а также физики Алексей Абрикосов и Константин Новоселов, давно не занимающиеся научной работой в России.

Алферов как физик

Выпускник одного из старейших вузов России - Ленинградского электротехнического института имени В. И. Ульянова (Ленина) (ЛЭТИ) - Жорес Алферов увлекался наукой еще с ранних лет. Окончил в Минске школу с золотой медалью, после чего по настоянию своего преподавателя по физике пошел в Белорусский политехнический институт (БНТУ), отучился там несколько лет и понял, что уровня белорусских преподавателей ему явно недостаточно.

С 1953 года работал в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе - начиная с младшего научного сотрудника, а через почти 30 лет, в 1987 году, уже возглавлял его. Там Алферов принимает участие в разработках первого в СССР транзистора, занимается исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.

В 1991 году Жорес Алферов занял пост вице-президента Российской академии наук - в этот период он как раз занимался исследованиями в области полупроводниковых гетероструктур.

Ленинград. Академик АН СССР Жорес Алферов на лекции в школе «Физика и электроника», созданной для старшеклассников. Фото: Юрий Белинский/ТАСС

Алферов практически сразу после создания Инновационного центра «Сколково» - в 2010 году - назначен его научным руководителем и сопредседателем консультативного научного совета Фонда. Сразу же после своего назначения Алферов выступил за то, чтобы консультативный совет «Сколково» собирался не только на территории центра, но и в других университетах - как российских, так и зарубежных - для сравнения условий с другими научными центрами и увеличения связей.

За что Жорес Алферов получил Нобелевскую премию

В 2000 году Нобелевскую премию по физике получили Жорес Алферов и Герберт Кремер за разработки в области быстродействующих транзисторов и лазеров. Эти исследования легли в основу современной информационной компактной техники. Алферов и Кремер открыли быстродействующие опто- и микроэлектронные устройства на базе полупроводниковых гетероструктур: быстродействующие транзисторы, лазерные диоды для систем передачи информации в оптоволоконных сетях, мощные эффективные светоизлучающие диоды, способные в будущем заменить лампы накаливания.

Большинство приборов, работающих по принципу полупроводников, используют р-n-переход, образующийся на границе между частями одного и того же полупроводника с разными типами проводимости, создаваемыми за счет внедрения соответствующих примесей. Гетеропереход позволил использовать разные по своему химическому составу полупроводники с разной шириной запрещенной зоны. Это позволило создавать электронные и оптоэлектронные приборы крайне малого размера - вплоть до атомных масштабов.

Жорес Алферов создал гетеропереход из полупроводников с близкими периодами решетки - GaАз и тройного соединения определенного состава АlGаАs. «Я хорошо помню эти поиски (поиски подходящей гетеропары - “Хайтек”). Они напоминали мне любимую мною в юности повесть Стефана Цвейга “Подвиг Магеллана”. Когда я заходил к Алферову в его маленькую рабочую комнату, она вся была завалена рулонами миллиметровой бумаги, на которой неутомимый Жорес с утра до вечера чертил диаграммы в поисках сопрягающихся кристаллических решеток. После того, как Жорес с командой своих сотрудников сделал первый лазер на гетеропереходе, он говорил мне: “Боря, я гетеропереходирую всю полупроводниковую микроэлектронику”», - рассказывал об этом периоде жизни Алферова академик Борис Захарченя.

В дальнейшем исследования, благодаря которым удалось получить гетеропереходы с помощью эпитаксиального роста кристаллической пленки одного полупроводника на поверхности другого, позволили группе Алферова еще больше миниатюризировать устройства - вплоть до нанометровых. За эти разработки в области наноструктур Жорес Алферов и получил Нобелевскую премию по физике в 2000 году.

Алферов - общественный деятель и коммунист

Трудно представить себе фигуру в России, более критикующую состояние современной российской науки - реформу РАН, низкие зарплаты для преподавателей, отток кадров из страны и систему образования, при этом называющего себя «настоящим патриотом» и «представителем великого славянского народа», чем Жорес Алферов. По этому масштабу Алферова можно сравнить разве что с Александром Солженицыным - тоже нобелевским лауреатом, который хоть и крайне негативно относился к существующей государственной системе, все равно был большим патриотом и будто бы понимал многие общественные процессы явно глубже, чем люди, занимающиеся ими профессионально.

Жореса Алферова в СМИ часто называли чуть ли не последним настоящим коммунистом в России, публично выступающим с такой позицией. Алферов неоднократно говорил, что развал СССР - «самая большая личная трагедия, а в 1991 году улыбка навсегда сошла с моего лица».

Несмотря на пост в Госдуме - в ней он с 1995 года до самой смерти занимался делами Комитета по науке и технологиям, а также постоянную поддержку партии КПРФ, Жорес Алферов оставался беспартийным. Это он объяснял своим нежеланием идти в политику, а пост депутата - единственной возможностью влиять на законодательство в научной области. Он выступал против проведения реформы РАН и перевод научных институтов в университеты по западной модели. По словам самого Алферова, России больше бы подошла китайская научная модель, где отчасти фундаментальные научные институты интегрировались с системой высшего образования, но сразу же сильно расширились и значительно омолодились.

Был одним из самых ярых противников клерикализма: считал, что теология не может быть научной дисциплиной, а в школе ни в коем случае нельзя вводить теорию православной культуры - лучше историю религии. На вопросы, существуют ли у религии и науки какие-то общие места, рассказывал о морали и высоких материях, но всегда добавлял, что есть важное различие. Основа религии - вера, а основа науки - знание, после чего добавлял, что научных основ у религии нет, хотя часто ведущие священники хотели бы, чтобы кто-нибудь их все-таки нашел.

Жорес Алферов во многих своих интервью сравнивал количество высокотехнологичного электронного производства в СССР и России, приходя всегда к грустному выводу, что нет сейчас наиболее важных задач, чем возрождение этих производств, утраченных в 90-е годы. Только это позволило бы стране слезть с нефтяной и углеводородной иглы.

При этом тут требуется очень серьезная оговорка. Несмотря на весь патриотизм и коммунизм Алферова, который будто бы автоматически подразумевает принципы великодержавия, он рассуждал только с точки зрения развития науки. Всегда говорил, что наука по своей природе интернациональна - не может быть никакой национальной физики и химии. Однако доход от нее очень часто идет в бюджет той или иной страны, - а передовые страны только те, где развиты разработки и технологии на основе собственных исследований.

После получения Нобелевской премии по физике (в 2000 году ее размер составлял около $1 млн - «Хайтек») решил вложить часть в собственный фонд поддержки технологий и науки. Являлся инициатором учреждения в 2002 году премии «Глобальная энергия», до 2006 года возглавлял Международный комитет по ее присуждению. Считается, что присуждение этой премии самому Алферову в 2005 году стало одной из причин оставления им поста.

Алферов, Жорес

Депутат Госдумы РФ, вице-президент РАН, лауреат Нобелевской премии

Действительный член Российской академии наук, вице-президент РАН, ректор Санкт-Петербургского Академического университета РАН. Специалист в области физики полупроводников, полупроводниковой и квантовой электроники, лауреат Нобелевской премии по физике за 2000 год. Депутат Государственной думы РФ пяти созывов: в 1995 году был избран от движения "Наш дом - Россия", а в 1999, 2003, 2007 и 2011 годах - от КПРФ.

Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 года в городе Витебске Белорусской ССР , . Его родители, Иван Карпович и Анна Владимировна - белорус и еврейка, сами происходили из местечка Чашники Витебской области. В 1912 году восемнадцатилетний Иван Карпович, отец Алферова, приехал в Санкт-Петербург и два года работал грузчиком в порту, разнорабочим на конвертной фабрике и рабочим на заводе "Старый Лесснер" (впоследствии - завод имени Карла Маркса). В годы Первой мировой войны отец Алферова был гусаром, унтер-офицером лейб-гвардии, дважды был награжден Георгиевским крестом. В сентябре 1917 года он вступил в РСДРП(б) и во время Гражданской войны командовал кавалерийским полком в Красной Армии, а после ее окончания перешел на хозяйственную работу. Именно Иван Алферов дал своим сыновьям "коммунистические имена", назвав старшего Марксом в честь Карла Маркса, а младшего - Жоресом в честь Жана Жореса, основателя газеты L"Humanite и лидера французской социалистической партии , , , .

Довоенные детские годы Алферова прошли в Сталинграде, Новосибирске, Барнауле и Сясьстрое (городе под Ленинградом), где работал его отец после того, как в 1935 году закончил Промакадемию. Начало Великой Отечественной войны совпало с назначением отца Алферова директором завода по производству пороховой целлюлозы, расположенного на Урале - в городе Туринске Свердловской области. Там в годы войны Алферов учился в местной школе, а летом работал на заводе. Старший брат Алферова сначала поступил на энергетический факультет Уральского индустриального института, но уже через несколько недель ушел на фронт. В 1944 году 20-летний гвардии младший лейтенант Маркс Алферов погиб в ходе Корсунь-Шевченковской операции , .

В 1950 году третьекурсник Алферов, специализировавшийся на электровакуумной технике, стал работать в вакуумной лаборатории профессора Б.П. Козырева. Его научным руководителем стала Наталия Николаевна Созина - специалист по полупроводниковым фотоприемникам в инфракрасной области спектра, благодаря которой он занялся экспериментальным исследованием полупроводников. Под руководством Созиной Алферов выполнил дипломную работу, посвященную получению пленок и исследованию фотопроводимости теллурида висмута (BiTe), но в декабре 1952 года во время распределения студентов своей кафедре в ЛЭТИ он предпочел Ленинградский физико-технический институт (ЛФТИ). Физтехом более тридцати лет руководил его основатель Абрам Федорович Иоффе, чья монография "Основные представления современной физики" была настольной книгой для Алферова , , , . Позже Алферов узнал, что за два месяца до его распределения Иоффе ушел из Физтеха и возглавил самостоятельную лабораторию физико-математических наук АН СССР, которая в 1954 году была преобразована в Институт полупроводников АН СССР (ИПАН), куда вместе с ним ушла почти вся "полупроводниковая" элита советских ученых .

В ЛФТИ Алферов стал младшим научным сотрудником в лаборатории В.М. Тучкевича и принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов. В конце 1940-х годов американские ученые создали первый точечный транзистор и транзистор с p-n-переходами, фактически лишь продемонстрировав возможность использования транзисторного эффекта. В ноябре 1952 года американцы опубликовали сообщение о способе, который годился для промышленного производства транзисторов, а уже 5 марта 1953 года Алферов сделал первый надежно работающий транзистор. В 1959 году за работы по заказам ВМФ СССР он получил свою первую правительственную награду - "Знак почета". В 1961 году Алферов защитил диссертацию, посвященную разработке и исследованию мощных германиевых и кремниевых выпрямителей, и получил ученую степень кандидата технических наук. При этом поданная заявка на авторское свидетельство была засекречена. Гриф секретности был снят лишь после публикации аналогичного предложения Герберта Кремера в США, а заявка Алферова была допущена к публикации еще позже , , , .

В 1963 году Алферов начал изучение полупроводниковых гетеропереходов. Гетеропереходом называется соединение двух различных по химическому составу полупроводников, полупроводниковая структура с несколькими гетеропереходами именуется гетероструктурой, а гетеропара - это соединения, на основе которых создается гетероструктура. Таким образом, гетероструктура представляет собой кристалл, в котором меняется химический состав и, соответственно, физические свойства. В природе гетероструктур не существует, поэтому их иногда называют кристаллами, сделанными человеком (man-made crystals), противопоставляя гомоструктурам - кристаллам, "созданным Богом" (God-made crystals) . В 1964 году Алферов стал старшим научным сотрудником Физтеха , .

В 1966 году Алферов сформулировал новые общие принципы управления электронными и световыми потоками в гетероструктураx (электронное и оптическое ограничения и особенности инжекции). При этом для того, чтобы работа не была засекречена, в названии статьи он упомянул лишь выпрямители, но не лазеры. В 1967 году, когда ученый совет ЛФТИ избрал Алферова заведующим сектором, ему приходилось убеждать своих коллег, что в будущем полупроводниковые физика и электроника будут развиваться именно на основе гетероструктур. И уже начиная с 1968 года сотрудники Физтеха стали успешно конкурировать со своими зарубежными коллегами, прежде всего учеными из трех лабораторий крупнейших американских фирм - Bell Telephone, IBM и RCA. В 1968-1969 годах были практически реализованы все основные идеи управления электронными и световыми потоками в классических гетероструктурах на основе системы арсенид галлия - арсенид алюминия (GaAs-AlAs): односторонняя эффективная инжекция, эффект "сверхинжекции", диагональное туннелирование, электронное и оптическое ограничения в двойной гетероструктуре. Кроме того, советским физикам удалось практически реализовать основные преимущества использования гетероструктур в полупроводниковых приборах - лазерах, светодиодах, солнечных батареях, динисторах и транзисторах .

В 1970 году Алферов защитил диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках, и получил степень доктора физико-математических наук , . По мнению экспертов, благодаря Алферову фактически был создано новое направление - физика гетероструктур, электроника и оптоэлектроника на их основе . Появлением лазерной "иголки" в проигрывателях компакт-дисков мы обязаны первому полупроводниковому лазеру, работавшему при комнатной температуре, который создали в Физтехе в том же 1970 году. Впоследствии компоненты, основанные на гетероструктурах, стали использоваться во многих современных устройствах: светодиодах и волоконно-оптических линиях связи, мобильных телефонах и солнечных батареях , , .

В 1971 году Алферов был удостоен своей первой международной награды - медали Баллантайна, учрежденной Франклиновским институтом в Филадельфии для награждения за лучшие работы в области физики и получившей название "малой Нобелевской премии". До него из советских ученых эту награду получил лишь академик Петр Капица (1944), а после - академики Николай Боголюбов (1974) и Андрей Сахаров (1981). В 1972 году Алферов стал лауреатом Ленинской премии , , . В 1979 году он был избран академиком АН СССР . В 1984 году его наградили Государственной премией СССР за разработку "изопериодических гетероструктур на основе четверных твердых растворов полупроводниковых соединений A3B5" , . В 1990 году Алферов стал вице-президентом АН СССР и председателем президиума Ленинградского научного центра (позже - вице-президентом РАН и председателем президиума Санкт-Петербургского научного центра) .

В 1972 году Алферов стал профессором, а через год - заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ, открытой на факультете электронной техники Физтеха. В целом он старался возродить идею синтеза науки и образования, в частности - "союз физмеха и физтеха". Еще в 1919 году в Политехническом институте Иоффе организовал физико-механический факультет, где преподавали главным образом ведущие сотрудники Физтеха. Однако в 1955 году, в ходе очередной реформы Никиты Хрущева, факультет был закрыт. В 1987 году Алферов стал директором Физтеха, а в 1988 году - еще и деканом открытого им физико-технического факультета Ленинградского политехнического института (ЛПИ). В результате возникла мощная научно-образовательная база, в которую вошли кафедра оптоэлектроники ЛЭТИ, физико-технический факультет ЛПИ и физико-технический лицей, открытый Алферовым при Физтехе. Позже они разместились в одном здании Научно-образовательного центра, открытого в Санкт-Петербурге 1 сентября 1999 года , , , , , .

С начала 1990-х годов Алферов занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. В 1993-1994 годах им и его коллегами впервые в мире были созданы гетеролазеры на основе структур с квантовыми точками - "искусственными атомами", а в 1995 году был продемонстрирован инжекционный гетеролазер на квантовых точках, работавший в непрерывном режиме при комнатной температуре. Исследования Алферова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, получившей название "зонная инженерия". Были разработаны технологии нового поколения квантоворазмерных лазеров на короткопериодных сверхрешетках с рекордно низкой величиной пороговой плотности тока; созданы концепции получения полупроводниковых наноструктур с размерным квантованием в двух и трех измерениях; осуществлена демонстрация уникальных физических свойств структур на основе квантовых точек, созданы на их базе инжекционные лазеры. По мнению экспертов, эти исследования, к примеру, приведут к появлению нового поколения техники, которая при своих сверхмалых размерах сможет передавать значительно большой объем информации , .

10 октября 2000 года стало известно, что Алферову будет вручена Нобелевская премия по физике. Саму премию он получил ровно через месяц, разделив ее с двумя другими физиками - Кремером и Джеком Килби. Причем Алферов и Кремер были удостоены Нобелевской премии за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники, а Килби - за основополагающий вклад в создание интегральных схем , , .

В 2001 году Алферов стал лауреатом Государственной премии РФ .

В 2001 году Алферов стал учредителем и президентом Фонда поддержки образования и науки (так называемого Алферовского фонда). В 2002 году он стал ректором-организатором Академического физико-технологического университета - первого высшего учебного заведения, входящего в систему РАН. В 2003 году Алферов покинул пост главы Физтеха, оставшись научным руководителем института , , , , . В 2005 году он стал председателем Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН, причем это привело к конфликту между ФТИ и Алферовым, который, по данным "Коммерсанта" был вызван имущественными спорами между научным центром и институтом; сам Алферов факт существования каких-либо разногласий отрицал, однако в 2006 году он был уволен с поста председателя ученого совета ФТИ и вместо этого стал научным руководителем Центра физики наногетероструктур ФТИ, но в этом качестве на сайте института Алферов не упоминался. В 2007 году Алферов возглавил совет по нанотехнологиям, созданного при РАН , , , , , , , .

Долгие годы Алферов был не только академиком, но и парламентарием. В 1989 году он был избран народным депутатом СССР от АН СССР , . В декабре 1995 года Алферов был избран в Государственную Думу второго созыва от движения "Наш дом - Россия" (НДР), в списках которого он занял шестое место. Большую часть времени Алферов был членом фракции НДР, но в апреле 1999 года вошел в депутатскую группу "Народовластие". В 1999 и 2003 годах он переизбирался депутатом Госдумы третьего и четвертого созывов, проходя по партийным спискам КПРФ , в которых занимал десятое и пятое места соответственно , , , , , , . Включение в партсписок Алферова, не являвшегося членом КПРФ, эксперты объясняли, в том числе, попыткой коммунистов привлечь на свою сторону интеллигенцию, не связанную с левым движением . Во всех трех составах Государственной Думы Алферов работал в парламентском комитете по образованию и науке , , . В 2001-2005 годах Алферов возглавлял президентскую комиссию по ввозу отработавшего ядерного топлива (ОЯТ): он выступил сторонником ввоза ОЯТ на территорию России, предложив направить доходы от этого на нужды ученых , .

В начале 2007 года, вопреки первоначальной информации, список КПРФ на предстоявших выборах в Петербургское законодательное собрание возглавил не Алферов, а первый заместитель председателя партии Иван Мельников . Сам ученый произошедшие перемены объяснил своей большой занятостью в связи с реформой РАН и тем, что, будучи беспартийным, не собирается активно заниматься политикой. Некоторые эксперты предположили, что при формировании списка в руководстве КПРФ мог иметь место рецидив "совкового антисемитизма" (мать Алферова - еврейка), но было выдвинуто и более правдоподобное объяснение, согласно которому между ученым и лидером коммунистов Геннадием Зюгановым мог произойти личный конфликт .

В июле 2007 года Алферов стал одним из авторов обращения академиков РАН к президенту России Владимиру Путину . Академики выступили против "все возрастающей клерикализации российского общества": апеллируя к российской конституции, провозгласившей светский характер государства и принцип отделения церкви от системы государственного образования, они выступили против внесения специальности "теология" в перечень научных специальностей Высшей аттестационной комиссии, а также против введения нового обязательного школьного предмета - "Основы православной культуры". Документ, получивший название "обращение Гинзбурга-Алферова" (Виталий Гинзбург - один из авторов обращения, нобелевский лауреат и академик РАН), вызвал большой общественный резонанс. Вскоре с открытым письмом к руководству России в защиту преподавания в школах "Основ православной культуры" выступил Союз православных граждан. Его представители обвинили Гинзбурга в давней и пристрастной борьбе с церковью, Алферова же назвали коммунистом, чье мировоззрение несовместимо с христианским. Продолжением скандала стало обращение православно-патриотического движения "Народный собор" в прокуратуру Москвы с требованием привлечь Гинзбурга к уголовной ответственности за "разжигание межрелигиозной розни" , , .

В августе 2007 года стало известно, что по результатам предварительных голосований, проведенных в региональных отделениях КПРФ, Алферов занял второе место в первой тройке кандидатов в федеральном списке партии для участия в выборах депутатов Государственной Думы пятого созыва. Первое место досталось Зюганову, а третье - летчику-космонавту, герою Советского Союза Светлане Савицкой , . 22 сентября 2007 года съезд КПРФ утвердил окончательные списки кандидатов от партии на выборы в Госдуму. Федеральный список возглавил Зюганов, вторым и третьим в нем значились Алферов и лидер Агропромышленного союза Николай Харитонов , .

На состоявшихся 2 декабря 2007 года выборах КПРФ успешно преодолела избирательный барьер, набрав 11,57 процента голосов российских избирателей. Алферов в очередной раз стал депутатом Государственной Думы РФ , . 24 декабря 2007 года как старейший депутат нижней палаты парламента он открыл первое пленарное заседание Госдумы пятого созыва .

В январе 2008 года Алферов был назначен руководителем секцией нанотехнологий в отделении нанотехнологий и информационных технологий РАН . В 2009 году возглавляемый им Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН получил новое название, став Санкт-Петербургским академическим университетом - научно-образовательным центром нанотехнологий РАН, Алферов стал ректором университета , , .

В начале 2010 года в прессе стали активно обсуждаться планы по строительству в Московской области российского аналога Кремниевой долины - "иннограда " в Сколкове. В апреле того же года газета "Ведомости" сообщила, что российским сопредседателем научно-технического совета, отвечающего за науку в новом иннограде, станет Алферов .

В октябре 2011 года Алферов вновь был включен в общефедеральную часть списка кандидатов от КПРФ на выборах в Государственную Думу шестого созыва . По результатам голосования, состоявшегося в декабре того же года, КПРФ набрала 19,19 процента голосов российских избирателей , Алферов снова получил депутатский мандат и вошел в состав парламентской фракции коммунистов .

В июле 2012 года стало известно, что Алферов по предложению министра образования Дмитрия Ливанова возглавит Общественный совет при Минобрнауки РФ .

Алферов написал более пятисот научных работ, в том числе четыре монографии, и стал главным редактором журнала "Письма в Журнал технической физики". Он является автором более пятидесяти изобретений. Помимо уже упомянутых наград он удостоился Хьюлет-Паккардовской премии Европейского физического общества (1972), ордена Трудового Красного Знамени (1975), ордена Октябрьской Революции (1980), ордена Ленина (1986), награды Симпозиума по GaAs (1987), медали Х. Велькера (1987), премии А.П. Карпинского (ФРГ, 1989) и премии А.Ф. Иоффе (РАН, 1996), общенациональной неправительственной Демидовской премии РФ (1999), медали А.С. Попова (РАН, 1999), премии Ника Холоньяка (США, 2000), премии Киото за передовые достижения в области электроники (2001), премии В.И. Вернадского (Украина, 2001) и международной премии "Глобальная энергия" (2005), учрежденной по его инициативе в 2002 году , , , . В 2002 году Алферов получил белорусский орден Франциска Скорины, а в 2003 году - украинский орден Ярослава Мудрого , . Кроме того, он был награжден многими медалями СССР и РФ . В 1999 году Алферов получил орден "За заслуги перед Отечеством" III степени, в 2000 году - орден "За заслуги перед Отечеством" II степени , , 75-летний юбилей ученого в 2005 году был отмечен орденом "За заслуги перед Отечеством" I степени , а в 2010 году он был удостоен ордена "За заслуги перед Отечеством" IV степени .

Алферов стал почетным доктором многих университетов, а также почетным членом многих российских и иностранных академий , . Он единственный из российских ученых, кто был избран иностранным членом Академии наук США ("за гетероструктуры") и иностранным членом Национальной инженерной академии наук США ("за развитие принципов теории и технологии гетероструктур") . Алферов получил звание заслуженного энергетика РФ (1996). В 2001 году он был удостоен звания почетного гражданина города Санкт-Петербурга, в 2002 году - Минска, а в 2004 году - Сан-Кристобаля (Венесуэла). В 2001 году в честь Алферова была названа малая планета (астероид) .

Алферов женат вторым браком на Тамаре Дарской. От этого брака у Алферова есть сын Иван. Сын Алферова некоторое время занимался прикладной астрономией, а потом занялся бизнесом (по данным на 2000 год - торговлей техникой для лесопромышленных компаний). Также известно, что у Алферова есть дочь от первого брака, с которой он не поддерживает отношений, и приемная дочь Ирина - дочь второй супруги от первого брака , .

Использованные материалы

Жорес Алферов возглавит общественный совет при Минобрнауки. - РИА Новости , 05.07.2012

Госдума 6-го созыва приступила сегодня к работе. - Эхо Москвы , 21.12.2011

ЦИК РФ объявил официальные итоги выборов в Госдуму. - РБК , 09.12.2011

О регистрации федерального списка кандидатов в депутаты Государственной Думы Федерального Собрания Российской Федерации шестого созыва, выдвинутого Политической партией "Коммунистическая партия Российской Федерации". - Центральная избирательная комиссия РФ (www.cikrf.ru) , 14.10.2011. - № 45/374-6

15 марта исполняется 80 лет Жоресу Алферову, вице-президенту Российской академии наук, лауреату Нобелевской премии по физике.

Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 г . в Витебске (Белоруссия).

В 1952 г. окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В. И. Ульянова (ЛЭТИ) (в настоящее время - Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ).

С 1953 г. Жорес Алферов работает в Физико-Техническом Институте имени А. Ф. Иоффе, с 1987 г. - в качестве директора.

Принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов.

В 1970 г. Жорес Алферов защитил диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках, и получил степень доктора физико-математических наук. В 1972 г. Алферов стал профессором, а через год - заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ.

С начала 1990-х гг. Алферов занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. С 1987 г. по май 2003 г. - директор СПбГЭТУ, с мая 2003 г. по июль 2006 г. - научный руководитель.

Исследования Жореса Алферова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как «зонная инженерия».

В лаборатории Алферова была разработана промышленная технология создания полупроводников на гетероструктурах. Первый непрерывный лазер на гетеропереходах был создан тоже в России. Эта же лаборатория по праву гордится разработкой и созданием солнечных батарей, успешно примененных в 1986 г. на космической станции "Мир": батареи проработали весь срок эксплуатации до 2001 г. без заметного снижения мощности.

Жорес Алферов многие годы сочетает научные исследования с преподаванием. С 1973 г. он заведует базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ, с 1988 г. - декан физико-технического факультета Санкт-Петербургского государственного технического университета.

Научный авторитет Алферова чрезвычайно высок. В 1972 г. он был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР, в 1979 г. - ее действительным членом, в 1990 г. - вице-президентом Российской академии наук и Президентом Санкт-Петербургского научного центра РАН.

Его работы получили широкую известность и мировое признание, вошли в учебники. Он автор более 500 научных работ, в том числе трех монографий и более 50 изобретений.

С 1989 г. по 1992 г. Жорес Алферов был народным депутатом СССР, с 1995 г. - депутат Государственной Думы второго, третьего, четвертого и пятого созывов (фракция КПРФ).

В 2002 г. Алферов стал инициатором учреждения премии «Глобальная энергия» (учередители ОАО "Газпром", РАО "ЕЭС России", НК "ЮКОС" и ОАО «Сургутнефтегаз»). До 2006 г. возглавлял Международный комитет по присуждению премии «Глобальная энергия».

С 2003 г. Жорес Алферов - председатель Научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН.

Алферов - почетный доктор многих университетов и почетный член многих академий.

Награжден Золотой медалью Баллантайна (1971) Франклиновского института (США), Хьюлет-Паккардовской премией Европейского физического общества (1972), медалью Х.Велькера (1987), премией А.П.Карпинского и премией А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Общенациональной неправительственной Демидовской премией РФ (1999), премией Киото за передовые достижения в области электроники (2001).

В 2000 г. Алферов получил Нобелевскую премию по физике "за достижения в электронике" совместно с американцами Джеком Килби и Гербертом Кремером. Кремер, как и Алферов, получил награду за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов (Алферов и Кремер получили половину денежной премии), а Килби - за разработку идеологии и технологии создания микрочипов (вторую половину).

В 2002 г. за работу "Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе" Жорес Алферов и команда ученых, работающих вместе с ним, были удостоены Государственной премии.

Жорес Алферов награжден орденами Ленина, Октябрьской Революции, Трудового Красного Знамени, Знаком Почета "3a заслуги перед Отечеством" III и II степени, медалями СССР и Российской Федерации.

В феврале 2001 г. Алферов учредил Фонд поддержки образования и науки для поддержки талантливой учащейся молодежи, содействия ее профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки. Первый вклад в Фонд был сделан Жоресом Алферовым из средств Нобелевской премии.

Материал подготовлен на основе информации открытых источников

О нобелевском лауреате, ушедшем от нас всего пять дней назад, об академике и депутате, открытия которого есть в каждом современном гаджете, рассказывает наш внеочередной выпуск рубрики «Как получить Нобелевку».

Сегодняшний выпуск нашей рубрики, наверное, самый сложный для меня. Во-первых, сегодня я пишу о человеке, которого знал лично. Во-вторых, сегодня я пишу о человеке, с которым спорил – пусть и заочно. В-третьих, этот человек умер пять дней назад. Непросто, правда.

При этом многие СМИ уже успели отметиться в материалах о Жоресе Алферове, написав «умер последний российский нобелевский лауреат». Это совсем не так. Во-первых, конечно же, живы Андрей Гейм и Константин Новоселов. Во-вторых, даже если говорить о тех, кто живет в России – то не нужно забывать и гражданина нашей страны Михаила Сергеевича Горбачева, лауреата Нобелевской премии мира 1990 года, пусть и имеющего недвижимость в Европе, в нашей стране проводящего тоже весьма много времени.

Давайте же попробуем рассказать о Жоресе Алферове так, как если бы мы писали о любом другом лауреате Нобелевской премии.

Жорес Иванович Алферов

Нобелевская премия по физике 2000 года (1/4 премии, совместно с Гербертом Кремером, вторую половину получил Джек Килби за создание интегральной микросхемы). Формулировка Нобелевского комитета: «За разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотных схемах и оптоэлектронике» (For developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and optoelectronics).

Наш герой родился в белорусско-еврейской семье в областном центре - Витебске. Иван Карпович Алферов и Анна Владимировна Розенблюм познакомились на родине мамы Алферова - в 1920-х годах бывший унтер-офицер 4-го гусарского лейб-гвардии Мариупольского полка уже служил уполномоченным ВЧК на пограничной заставе городка Крайск Логойского района Минской области (сейчас там живет всего три с половной сотни человек). И квартировал в доме родителей Анны Владимировны - со всеми вытекающими последствиями.

Родители нашего героя были людьми своего времени - увлекающимися, искренне верящими в идеалы социализма. И двух сыновей они назвали по фамилиям своих кумиров: в честь главного социалиста всех времен и народов Карла Маркса - старшего, и в честь французского социалиста, основателя газеты L"Humanite (советские люди хорошо помнят слово «Юманите») Жана Жореса - младшего. Имя довлело над Жоресом Алферовым всю жизнь - по убеждениям нобелевский лауреат всегда оставался близок к своему «французскому ангелу».

Увы, старшему было отпущено всего два десятка лет жизни – в 1944 году Маркс Иванович Алферов погиб на фронте, в Корсунь-Шевченковской операции. Младший возрастом не вышел для фронта, а семья к тому времени переехала в Туринск Свердловской области.

После войны Алферов приехал в Минск, где окончил с золотой медалью среднюю школу номер 42. Учитель физики Яков Мельцерзон дал добрый совет: поучиться пару семестров в Минском политехе. Так Алферов и сделал, а затем поступил без экзаменов уже в Ленинградский электротехнический институт - в знаменитый ЛЭТИ, который и окончил в 1952 году. В год смерти Сталина наш герой пришел на работу в знаменитый ленинградский Физтех, где стал младшим научным сотрудником в лаборатории академика Владимира Тучкевича. Впрочем, в 1953 году Тучкевич не был еще членкором, зато начинал создавать отечественные полупроводниковые транзисторы, не так давно открытые Бардиным и Шокли.

Владимир Тучкевич

Wikimedia Commons

Нельзя сказать, что именно тогда полупроводники вошли в жизнь будущего директора ФТИ имени А. Ф. Иоффе: вроде бы первые эксперименты с полупроводниковыми пленками он начал проводить еще студентом.

Удивительное дело: свою «нобелевскую» работу Алферов сделает через десять лет после начала самостоятельной научной деятельности. Но в 1953 году того устройства, которое побудит молодого физика выполнить ее, еще не было даже в помине. А семь лет спустя в лаборатории американца Теодора Маймана заработает первый в истории лазер. Правда, Нобелевскую премию за него получат другие: принципы, на которых работают лазеры и мазеры, откроют наши соотечественники Александр Прохоров и Николай Басов вместе с американцем Чарльзом Таунсом.

Лазер стал «решением, которое ищет себе задачу». Но на первых порах лазеры были громоздкими. Рабочим телом, местом, где возникало когерентное излучение, был либо кристалл рубина, либо газ. Сделать лазеры компактными смогли полупроводники, в которых область генерации лазерного излучения занимает несколько микрометров. Первые лазеры на основе p-n перехода были нестабильными и работали при температуре почти в -200 градусов Цельсия. И вот в 1963 году одновременно Жорес Алферов в СССР и Герберт Кремер в Германии предложили заменить p-n переход «сэндвичем» из разных слоев полупроводников - гетероструктурами.

Теоретические исследования гетеропереходов проводили и другие ученые во всем мире, однако считалось, что реально создать такую структуру просто невозможно. Дело в том, что для этого необходимо было подобрать два полупроводника с практически одинаковыми параметрами кристаллической решетки. Большинство ученых скептически относились к этой идее. Жорес Иванович не оставлял попыток найти такую идеальную пару и, наконец, в 1963 году создал технологию (жидкофазную эпитаксию – «напыление» кристалла на подложке) для формирования гетероперехода. Еще через несколько лет, в 1968 году, Алферов создал первый лазер на основе гетероперехода. Полупроводниковые гетеролазеры стали основой новой области физики – оптоэлектроники. С помощью этой технологии стало возможным создание оптоволоконных линий с огромной пропускной способностью. За разработку гетеролазера Жорес Иванович получил престижную награду – медаль Баллантайна.

Теперь алферовские лазеры и светодиоды есть везде - в лазерной указке, в мобильных телефонах, в компьютерах… Нобелевской премии пришлось ждать 37 лет. В 2000 году Шведская королевская академия наук удостоила Нобелевской премией физиков, ставших основателями современной информационной техники. Половину премии «За фундаментальные работы, заложившие основы современных информационных технологий посредством создания полупроводниковых гетероструктур, используемых в cсверхвысокочастотной и оптической электронике» разделили Жорес Алферов и Герберт Кремер. На рубеже тысячелетий стало очевидно, что будущее информационных систем за компактными и быстрыми устройствами, которые позволяет передавать огромное количество информации за короткий промежуток времени. Созданные Алферовым и Крамером за полвека до этого быстродействующие опто- и микроэлектронные устройства на базе полупроводниковых гетероструктур как нельзя лучше удовлетворяли этим условиям. Быстродействующие транзисторы, лазерные диоды для систем передачи информации в оптоволоконных сетях сегодня составляют основу компьютерных технологий, а светоизлучающие диоды на основе гетероструктур все активнее замещают лампы накаливания.

Группа Ж.И.Алферова (слева направо): Дима Гарбузов, Слава Андреев, Володя Корольков, Дима Третьяков и Жорес Алферов, после получения Ленинской премии (1972 г.)

Вячеслав Андреев, заведующий лабораторией фотоэлектрических преобразователей ФТИ имени А. Ф. Иоффе РАН

Треть награды Жорес Алферов сразу же перечислил в созданный им Фонд поддержки образования и науки, на часть денег купил квартиру (раньше его семья жила в служебной).

Хотя разработанные им технологии широко используются в электронике – от дисководов компьютера до автомобильных фар – у самого Алферова долгое время не было мобильного телефона, пока его не подарили коллеги из физико-технического университета.

Алферов был разным. Физик очень активно участвовал в общественно-политической жизни страны. В 1990-1991 годах ученый занимал пост вице-президента Академии наук СССР. С 2010 года он был сопредседателем Консультативного совета Фонда «Сколково». В 2013 году Алферов баллотировался на пост Президента РАН, заняв в голосовании второе место. Был он и народным депутатом СССР, а позднее – депутатом Госдумы (сначала от НДР, потом от КПРФ). Под стать своему социалистическому имени, он всю жизнь придерживался коммунистических взглядов (в партии КПСС состоял с 1965 года). Алферов осуждал социальное неравенство, верил, что наука в СССР была выстроена очень эффективно, и сетовал, что если бы не распад Советского Союза, «то айфоны и айпады сейчас выпускали бы у нас».

В 2010 году ученого даже предлагали выдвинуть в президенты как единого кандидата от правой и левой оппозиции. Он мог одновременно входить в комитет по получению премии «Глобальная энергия» и получить эту высокую награду, мог критиковать власть - и быть депутатом Госдумы почти четверть века. Он был таким, какими были, пожалуй, все нобелевские лауреаты - не вписывающимся в рамки, а еще - полностью соответствующим завещанию Альфреда Нобеля: принесшим максимум пользы всему человечеству.

О работе и взглядах Жореса Алферова вспоминает Роберт Сурис, академик РАН, заведующий лабораторией ФТИ им А.И. Иоффе РАН:

«Чтобы быть успешным научным работником, необходим спортивный азарт, и у Жореса Ивановича его было в избытке. Другое необходимое качество – это умение напряженно работать, причем получать от этого удовольствие, и у него это качество было замечательно развито. Еще одно умение – увидеть, куда двигаться, и для этого необходим научный бэкграунд. Но быть «кабинетным» ученым, который только сидит среди книг в своей шапочке, для этого недостаточно, надо быть инженером, иметь представление о применениях научных результатов. Жорес Иванович получил на самом деле инженерное образование в Ленинградском электротехническом институте и всегда умел ухватить, что впереди, определить направление.

Еще одно качество – не бояться рисковать. Не бояться ввязываться в большие проекты, и учреждать их. Для этого нужна смелость, и, как говорил сам Жорес Иванович, нужно верить в свою удачу. Он был удачлив! В исследования гетеропереходов, которые в конечном итоге привели к Нобелевской премии, Жорес увлек за собой несколько человек. А это было самое начало. И от лидера, который в это вовлекает людей, за которым идут, требовалось твердо верить в успех. И у него такая вера была, была уверенность в результате, в том, что он продолжит быть «паровозом» всей работы, что люди, которые ему доверились, не прогадают. Еще одна иллюстрация этого качества – симпозиум Nanostructures: Physics and Technology, который Жорес Иванович организовал впервые в 1993 году. Это был чуть ли не первый в мире симпозиум по наноструктурам. Меня он тогда мобилизовал быть программным председателем, а председателями симпозиума были сам Жорес Иванович и Лео Эсаки, который уже был нобелевским лауреатом. И симпозиум получился и пользуется большой популярностью до сих пор. Другим невероятным предприятием в эти тяжелые годы было создание академического университета с лицеем при нем. Это была его инициатива, решить эту задачу было почти невозможно, но ему удалось! Сказались вера в удачу, напор, умение общаться с людьми. В тех условиях это было чудо.

Для нас для всех плохо, что он ушел. Еще лет 15 назад кое-кто говорил, что наука нам не нужна, что технологии мы купим, не понимая, что уровень страны определяется уровнем науки, которая в ней делается. Об этом он не раз говорил, горячо выступал. И эти выступления даже в те времена, когда науку считали ненужной, были очень важными. И еще – Жорес Иванович хорошо знал, что для полупроводниковых дел необходима промышленность, и что ее потеря отрицательно сказывается на развитии науки, ведь все исследования должны быть востребованы. Многие научные результаты возникают в ответ на технические вызовы. И он непрерывно говорил об этом, пытался создать это понимание у высокого начальства. Его авторитет для академии и для науки вообще у нас в стране был очень важен».

– 1978 г.). И вот – успех Алфёрова.

Правда, и тут не обошлось не то чтобы без ложки дегтя, но не без маленькой психологической занозы: приз в 1 млн долларов Жорес Иванович в паре с Хербертом Кроемером разделит пополам с Джеком Килби. По решению Нобелевского комитета Алфёров и Килби удостоены Нобелевской премии (одной на двоих) за «работы по получению полупроводниковых структур, которые могут быть использованы для сверхбыстрых компьютеров». (Любопытно, что так же пришлось поделить Нобелевскую премию по физике за 1958 г. между советскими физиками Павлом Черенковым и Ильей Франком и за 1964 г. – между опять-таки советскими физиками Александром Прохоровым и Николаем Басовым.) Еще один американец, сотрудник корпорации «Техас Инструментс» Джек Килби, удостоен награды за работы в области интегральных схем.

Итак, кто же он, новый российский нобелевский лауреат?

Жорес Иванович Алфёров родился в белорусском городе Витебске. После 1935 года семья переехала на Урал. В г. Туринске А. учился в школе с пятого по восьмой классы. 9 мая 1945 года его отец, Иван Карпович Алфёров, получил назначение в Минск, где А. окончил мужскую среднюю школу №42 с золотой медалью. Он стал студентом факультета электронной техники (ФЭТ) Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) им. В.И. Ульянова по совету школьного учителя физики, Якова Борисовича Мельцерзона.

На третьем курсе А. пошел работать в вакуумную лабораторию профессора Б.П. Козырева. Там он начал экспериментальную работу под руководством Наталии Николаевны Созиной. Со студенческих лет А. привлекал к участию в научных исследованиях других студентов. Так, в 1950 году полупроводники стали главным делом его жизни.

В 1953 году, после окончания ЛЭТИ, А. был принят на работу в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе в лабораторию В.М. Тучкевича. В первой половине 50-х годов перед институтом была поставлена задача создать отечественные полупроводниковые приборы для внедрения в отечественную промышленность. Перед лабораторией стояла задача: получение монокристаллов чистого германия и создание на его основе плоскостных диодов и триодов. При участии А. были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые германиевые приборы За комплекс проведенных работ в 1959 году А. получил первую правительственную награду, им была защищена кандидатская диссертация, подводившая черту под десятилетней работой.

После этого перед Ж.И. Алфёровым встал вопрос о выборе дальнейшего направления исследований. Накопленный опыт позволял ему перейти к разработке собственной темы. В те годы была высказана идея использования в полупроводниковой технике гетеропереходов. Создание совершенных структур на их основе могло привести к качественному скачку в физике и технике.

В то время во многих журнальных публикациях и на различных научных конференциях неоднократно говорилось о бесперспективности проведения работ в этом направлении, т.к. многочисленные попытки реализовать приборы на гетеропереходах не приходили к практическим результатам. Причина неудач крылась в трудности создания близкого к идеальному перехода, выявлении и получении необходимых гетеропар.

Но это не остановило Жореса Ивановича. В основу технологических исследований им были положены эпитаксиальные методы, позволяющие управлять такими фундаментальными параметрами полупроводника, как ширина запрещенной зоны, величина электронного сродства, эффективная масса носителей тока, показатель преломления и т.д. внутри единого монокристалла.

Для идеального гетероперехода подходили GaAs и AlAs, но последний почти мгновенно на воздухе окислялся. Значит, следовало подобрать другого партнера. И он нашелся тут же, в институте, в лаборатории, возглавляемой Н.А. Горюновой. Им оказалось тройное соединение AIGaAs. Так определилась широко известная теперь в мире микроэлектроники гетеропара GaAs/AIGaAs. Ж.И. Алфёров с сотрудниками не только создали в системе AlAs – GaAs гетероструктуры, близкие по своим свойствам к идеальной модели, но и первый в мире полупроводниковый гетеролазер, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре.

Открытие Ж.И. Алфёровым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений – «суперинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах – позволило также кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике. Новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках Жорес Иванович обобщил в докторской диссертации, которую успешно защитил 1970 году.

Работы Ж.И. Алфёрова были по заслугам оценены международной и отечественной наукой. В 1971 году Франклиновский институт (США) присуждает ему престижную медаль Баллантайна, называемую «малой Нобелевской премией» и учрежденную для награждения за лучшие работы в области физики. Затем следует самая высокая награда СССР – Ленинская премия (1972 год).

С использованием разработанной Ж.И. Алфёровым в 70-х годах технологии высокоэффективных, радиационностойких солнечных элементов на основе AIGaAs/GaAs гетероструктур в России (впервые в мире) было организовано крупномасштабное производство гетероструктурных солнечных элементов для космических батарей. Одна из них, установленная в 1986 году на космической станции «Мир», проработала на орбите весь срок эксплуатации без существенного снижения мощности.

На основе предложенных в 1970 году Ж.И. Алфёровым и его сотрудниками идеальных переходов в многокомпонентных соединениях InGaAsP созданы полупроводниковые лазеры, работающие в существенно более широкой спектральной области, чем лазеры в системе AIGaAs. Они нашли широкое применение в качестве источников излучения в волоконно-оптических линиях связи повышенной дальности.

В начале 90-х годов одним из основных направлений работ, проводимых под руководством Ж.И. Алфёрова, становится получение и исследование свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.

В 1993...1994 годах впервые в мире реализуются гетеролазеры на основе структур с квантовыми точками – «искусственными атомами». В 1995 году Ж.И. Алфёров со своими сотрудниками впервые демонстрирует инжекционный гетеролазер на квантовых точках, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Принципиально важным стало расширение спектрального диапазона лазеров с использованием квантовых точек на подложках GaAs. Таким образом, исследования Ж.И. Алфёрова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как «зонная инженерия».

Награда нашла героя

В одном из своих многочисленных интервью (1984 год) на вопрос корреспондента: «По слухам, Вы нынче были представлены к Нобелевской премии. Не обидно, что не получили?» Жорес Иванович ответил: «Слышал, что представляли уже не раз. Практика показывает – либо ее дают стразу после открытия (в моем случае это середина 70-х годов), либо уже в глубокой старости. Так было с П.Л. Капицей. Значит, у меня еще все впереди».

Здесь Жорес Иванович ошибся. Как говорится, награда нашла героя раньше наступления глубокой старости. 10 октября 2000 года по всем программам российского телевидения сообщили о присуждении Ж.И. Алфёрову Нобелевской премии по физике за 2000 год.

Современные информационные системы должны отвечать двум простым, но основополагающим требованиям: быть быстрыми, чтобы большой объем информации, можно было передать за короткий промежуток времени, и компактными, чтобы уместиться в офисе, дома, в портфеле или кармане.

Своими открытиями Нобелевские лауреаты по физике за 2000 год создали основу такой современной техники. Жорес И. Алфёров и Герберт Кремер открыли и развили быстрые опто- и микроэлектронные компоненты, которые создаются на базе многослойных полупроводниковых гетероструктур.

Гетеролазеры передают, а гетероприемники принимают информационные потоки по волоконно-оптическим линиям связи. Гетеролазеры можно обнаружить также в проигрывателях CD-дисков, устройствах, декодирующих товарные ярлыки, в лазерных указках и во многих других приборах.

На основе гетероструктур созданы мощные высокоэффективные светоизлучающие диоды, используемые в дисплеях, лампах тормозного освещения в автомобилях и светофорах. В гетероструктурных солнечных батареях, которые широко используются в космической и наземной энергетике, достигнуты рекордные эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую.

Джек Килби награжден за свой вклад в открытие и развитие интегральных микросхем, благодаря чему стала быстро развиваться микроэлектроника, являющаяся – наряду с оптоэлектроникой – основой всей современной техники.

Учитель, воспитай ученика...

В 1973 году А., при поддержке ректора ЛЭТИ А.А. Вавилова, организовал базовую кафедру оптоэлектроники (ЭО) на факультете электронной техники Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе.

В невероятно сжатые сроки Ж.И. Алфёров совестно с Б.П. Захарченей и другими учеными Физтеха разработал учебный план подготовки инженеров по новой кафедре. Он предусматривал обучение студентов первого и второго курсов в стенах ЛЭТИ, поскольку уровень физико-математической подготовки на ФЭТ был высоким и создавал хороший фундамент для изучения специальных дисциплин, которые, начиная с третьего курса, читались учеными Физтеха на его территории. Там же с использованием новейшего технологического и аналитического оборудования выполнялись лабораторные практикумы, а также курсовые и дипломные проекты под руководством преподавателей базовой кафедры.

Прием студентов на первый курс в количестве 25 человек осуществлялся через вступительные экзамены, а комплектование групп второго и третьего курсов для обучения по кафедре ОЭ проходило из студентов, обучавшихся на ФЭТ и на кафедре диэлектриков и полупроводников Электрофизического факультета. Комиссию по отбору студентов возглавлял Жорес Иванович. Из примерно 250 студентов, обучавшихся на каждом курсе, было отобрано по 25 лучших. 15 сентября 1973 года начались занятия студентов вторых и третьих курсов. Для этого был подобран прекрасный профессорско-преподавательский состав.

Ж.И. Алфёров очень большое внимание уделял и уделяет формированию контингента студентов первого курса. По его инициативе в первые годы работы кафедры в период весенних школьных каникул проводились ежегодные школы «Физика и жизнь». Ее слушателями были учащиеся выпускных классов школ Ленинграда. По рекомендации учителей физики и математики наиболее одаренным школьникам вручались приглашения принять участие в работе этой школы. Таким образом набиралась группа в количестве 30...40 человек. Они размещались в институтском пионерском лагере «Звездный». Все расходы, связанны с проживанием, питанием и обслуживанием школьников, наш вуз брал на себя.

На открытие школы приезжали все ее лекторы во главе с Ж.И. Алфёровым. Все проходило и торжественно, и очень по-домашнему. Первую лекцию читал Жорес Иванович. Он так увлекательно говорил о физике, электронике, гетероструктурах, что все его слушали как завороженные. Но и после лекции не прекращалось общение Ж.И. Алфёрова с ребятами. Окруженный ими, он ходил по территории лагеря, играл в снежки, дурачился. Насколько не формально он относился к этому «мероприятию», говорит тот факт, что в эти поездки Жорес Иванович брал свою жену Тамару Георгиевну и сына Ваню...

Результаты работы школы не замедлили сказаться. В 1977 году состоялся первый выпуск инженеров по кафедре ОЭ, количество выпускников, получивших дипломы с отличием, на факультете удвоилось. Одна группа студентов этой кафедры дала столько же «красных» дипломов, сколько остальные семь групп.

В 1988 году Ж.И. Алфёров организовал в Политехническом институте физико-технический факультет.

Следующим логическим шагом стало объединение этих структур под одной крышей. К реализации данной идеи Ж.И. Алфёров приступил еще в начале 90-х годов. При этом он не просто строил здание Научно-образовательного центра, он закладывал фундамент будущего возрождения страны... И вот первого сентября 1999 года здание Научно-образовательного центра (НОЦ) вступило в строй.

На том стоит и стоять будет русская земля...

Алфёров всегда остается самим собой. В общении с министрами и студентами, директорами предприятий и простыми людьми он одинаково ровен. Не подстраивается под первых, не возвышается над вторыми, но всегда с убежденностью отстаивает свою точку зрения.

Ж.И. Алфёров всегда занят. Его рабочий график расписан на месяц вперед, а недельный рабочий цикл таков: утро понедельника – Физтех (он его директор), вторая половина дня – Санкт-Петербургский научный центр (он председатель); вторник, среда и четверг – Москва (он член Государственной думы и вице-президент РАН, к тому же нужно решать многочисленные вопросы в министерствах) или Санкт-Петербург (тоже вопросов выше головы); утро пятницы – Физтех, вторая половина дня – Научно-образовательный центр (директор). Это только крупные штрихи, а между ними – научная работа, руководство кафедрой ОЭ в ЭТУ и физико-техническим факультетом в ТУ, чтение лекций, участие в конференциях. Всего не перечесть!

Наш лауреат прекрасный лектор и рассказчик. Неслучайно все информационные агентства мира отметили именно Алфёровскую Нобелевскую лекцию, которую он прочитал на английском языке без конспекта и с присущим ему блеском.

При вручении Нобелевских премий существует традиция, когда на банкете, который устраивает король Швеции в честь Нобелевских лауреатов (на нем присутствуют свыше тысячи гостей), представляется слово только одному лауреату от каждой «номинации». В 2000 году Нобелевской премии по физике были удостоены три человека: Ж.И. Алфёров, Герберт Кремер и Джек Килби. Так вот двое последних уговорили Жореса Ивановича выступить на этом банкете. И он эту просьбу выполнил блестяще, в своем слове удачно обыграв нашу российскую привычку делать «одно любимое дело» на троих.

В своей книге «Физика и жизнь» Ж.И. Алфёров, в частности, пишет: «Все, что создано человечеством, создано благодаря науке. И если уж суждено нашей стране быть великой державой, то она ею будет не благодаря ядерному оружию или западным инвестициям, не благодаря вере в Бога или Президента, а благодаря труду ее народа, вере в знание, в науку, благодаря сохранению и развитию научного потенциала и образования.

Десятилетним мальчиком я прочитал замечательную книгу Вениамина Каверина «Два капитана». И всю последующую жизнь я следовал принципу ее главного героя Сани Григорьева: «Бороться и искать, найти и не сдаваться». Правда, очень важно при этом понимать, за что ты берешься».